Власти выделили почти 2 млрд на замену американских, французских и голландских установок эпитаксии для производства чипов

Оборудование для эпитаксии

Как выяснил CNews, Минпромторг выделил 1,5 млрд руб. на разработку установки молекулярно-лучевой эпитаксии для получения гетероструктур на основе соединений индия, алюминия, галлия и арсенида с групповой загрузкой пластин 76–100 мм (шифр «Цитадель»).

Еще 463,7 млн руб. направлено на создание установки для выращивания слоев кремний-германия на кремниевых пластинах диаметром 200 мм методом газофазной эпитаксии (шифр «Эпитаксия-SiGe»).

Оба тендера в формате открытого конкурса опубликованы 1 июня 2026 г., следует из портала госзакупок.

Что должны заменить разработки

Установка газофазной эпитаксии (проект «Эпитаксия-SiGe») должна заменить нидерландское оборудование ASM — Epsilon® 2000, которое используется для выращивания эпитаксиальных слоев кремния и кремний-германия на пластинах 200 мм.

Минпромторг выделил 2 млрд на оборудование для эпитаксии

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии (проект «Цитадель») должна заменить французскую Riber 49 и американскую Veeco GEN200. Прямых отечественных аналогов не существует. Оборудование предназначено для получения гетероструктур на основе соединений индия, алюминия, галлия и арсенида на пластинах диаметром 76 и 100 мм.

Что должно быть разработано

По НИР «Эпитаксия-SiGe» исполнитель должен провести моделирование и изготовить три макета ключевых узлов будущей установки: реактор газофазной эпитаксии, робот-загрузчик и модуль предэпитаксиальной обработки для сухой химической очистки поверхности пластин.

Реактор должен выдерживать нагрев до 1180°C и работать в диапазоне давлений от низкого вакуума до атмосферного. Скорость роста слоя кремния — не менее 6 мкм/час, кремний-германиевого слоя — не менее 0,5 мкм/час с содержанием германия от 10%. Требования к герметичности — сверхвысокие.

По ОКР «Цитадель» исполнитель должен разработать конструкторскую документацию с литерой «О1» и изготовить опытный образец установки молекулярно-лучевой эпитаксии с групповой загрузкой подложек. Установка должна обрабатывать одновременно не менее пяти подложек диаметром 76 мм или трех подложек диаметром 100 мм.

Среди технических требований к установке: предельное остаточное давление в ростовой камере после прогрева — не выше пяти десятимиллиардных долей паскаля. Однородность толщины эпитаксиальных слоев на пластине 100 мм — не более 3%, однородность легирования n-типа — не более 5%, p-типа — не более 20%. Скорость роста — не менее 1 микрометра в час, максимальная температура подложки — не менее 750°C, скорость вращения ростового манипулятора — не менее 40 оборотов в минуту.

Установка должна включать 10 портов для источников молекулярных пучков с тиглями объемом не менее 700 кубических сантиметров каждый для галлия, алюминия и индия. Также в составе — вентильный источник мышьяка, газовый источник CBr₄, система дифракции быстрых электронов, анализатор остаточной атмосферы и инфракрасный оптический пирометр.

Отечественные компоненты

Как и в остальных тендерах, которые публикует ведомство на замену иностранного оборудования, предполагается использование российских деталей.

В техническом задании «Цитадели» жестко прописано требование по импортозамещению. Критические комплектующие — вакуумные камеры и насосы, молекулярные источники, запорно-вакуумная арматура, центральный контроллер системы управления, программное обеспечение — должны быть российского производства.

Применение иностранных критических комплектующих допускается только при наличии обоснования в техническом проекте и письменного согласования с Минпромторгом. В ТЗ отдельно указано, что применение иностранных комплектующих должно быть обосновано.

Работы по «Эпитаксии-SiGe» должны быть выполнены до июня 2029 г., по «Цитадели» — до октября 2030 г.