Создатели российской атомной бомбы построят установки для производства чипов на замену американским и японским

Создатели российской атомной бомбы построят установки для производства чипов на замену американским и японским

Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ разработает автоматизированную установку жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм. Оборудование должно заменить американские и японские системы.

Контракт для атомщиков

Как выяснил CNews, победителем конкурса Минпромторга на создание установки жидкостного химического травления спреем пластин стало ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» — Российский федеральный ядерный центр, входящий в структуру «Росатома». Контракт на ОКР шифр «Спрей» был заключен 6 июля 2026 г.

Сумма контракта составила 1,43 млрд руб. Снижения цены не произошло — начальная цена и сумма контракта совпадают. По итогам конкурса была подана только одна заявка — от РФЯЦ-ВНИИЭФ. Конкурс признан несостоявшимся, контракт заключен с единственным поставщиком.

Работа разбита на четыре этапа и должна быть завершена до 30 ноября 2029 г.

Что надо разработать

Речь идет о создании автоматизированной установки спрейного жидкостного химического травления полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм. Оборудование предназначено для химического травления, очистки, промывки и сушки пластин в составе серийных технологических маршрутов микроэлектроники.

Разработчик атомной бомбы получит 1,4 млрд за создание оборудования для чипов

Функциональными аналогами выступают американские установки Shellback Torrent / Siconnex BATCHSPRAY, Shellback MERCURY™+, а также японская Tokyo Electron ZETA™+ 200. Прямых отечественных аналогов не существует.

Установка должна обеспечивать обработку до 100 пластин за цикл (до 4 кассет), работу с химическими реагентами (HF, H₂SO₄, H₂O₂, HCl, NH₄OH) при температуре до 160°C, а также обеспечивать автоматическую загрузку и выгрузку пластин с использованием SMIF-загрузчика.

Требуемая равномерность травления по пластине — не более 5%. Наработка на отказ — не менее 2000 часов, срок службы — не менее 7 лет.

Критические комплектующие: герметичная процессная камера, ротор, кассетный модуль, узлы спрей-системы подачи реагентов, системы подачи химии, вентиляции и газоочистки, центральный контроллер и программное обеспечение — должны быть отечественного производства. Применение импортных комплектующих допускается только по согласованию с заказчиком.

Чем известен РФЯЦ-ВНИИЭФ

ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ» — Российский федеральный ядерный центр, расположенный в городе Сарове Нижегородской области. Институт входит в структуру госкорпорации «Росатом».

Основанный в 1946 году, институт является крупнейшим научно-исследовательским центром страны. Именно здесь были разработаны первые отечественные атомная и водородная бомбы.

Это не первый контракт РФЯЦ-ВНИИЭФ в этом году. В июлt 2026 г. CNews писал, что Российский федеральный ядерный центр также стал победителем конкурса на разработку установок бондинга и дебондинга полупроводниковых пластин (шифр «Дантист»). Сумма того контракта составила 992,85 млн руб. Таким образом, за две недели ВНИИЭФ получил два крупных заказа от Минпромторга на разработку оборудования для микроэлектроники на общую сумму более 2,4 млрд руб.

Добавить комментарий

Кнопка «Наверх»