620 шагов к мировому господству. Китай попался на реализации плана по захвату рынка памяти «в духе доктора Зло»
Китайский производитель микросхем CXMT мог следовать хитрому плану по захвату мирового рынка оперативной памяти. Он состоял из нескольких шагов, включая кражу технологического документа Samsung на 620 шагов по производству DRAM, и носит название «Проект Хэфэй». Рекрутинг сотрудников Samsung тоже подразумевается. По степени хитроумности его сравнивают с планами персонажа доктора Зло из фильмов про Остина Пауэрса. Сейчас у CXMT 10% рынка, и ее задумка вполне могла помочь ей дойти до такого уровня.
Китайский техношпион
Китайского производителя микросхем CXMT обвинили в разработке детального плана по достижению крупной доли на глобальном рынке оперативной памяти. Как пишет Tom’s Hardware, он называется «Проект Хэфэй» (Project Hefei). Сейчас у CXMT 10%, и есть вероятность, что без помощи этого плана CXMT не обошлась.
Сам план включает в первую очередь кражу технологических секретов Samsung по производству DRAM, состоящих из 620 пунктов. Известно о существовании такого документа стало в рамках судебного разбирательства по делу о потенциальной краже секретов южнокорейской компании Samsung специалистами CXMT.
Samsung – один из трех крупнейших в мире вендоров чипов памяти наряду с SK Hynix (Южная Корея) и Micron (США).
Дело рассматривается в южнокорейском суде, где уже вынесено несколько обвинительных приговоров, два из которых предусматривают тюремное заключение для бывших инженеров Samsung. Сведения о «Проекте Хэфэй» стали продолжением этой истории.
Вина CXMT пока не доказана. Как и существование «Проекта Хэфэй»
Данный проект – предполагаемая дорожная карта CXMT, описывающая долгосрочное планирование в отношении технологических «приобретений» (по сути, кражи), переманивания персонала и запуска производства – все это ключевые элементы стратегии CXMT, которые, возможно, напрямую привели к тому, что она заняла 10% мирового рынка DRAM-памяти, пишет Tom’s Hardware.
По последним подсчетам южнокорейской прокуратуры в декабре 2025 г., ущерб, нанесенный Samsung в результате предполагаемых махинаций CXMT, достиг как минимум десятков триллионов вон. Приблизительная оценка, учитывая прошедшее время, может указывать на цифру в районе 40 трлн вон или $29,5 млрд, и эта цифра будет экспоненциально расти, отмечают в Tom’s Hardware.
«Однако долгосрочное влияние на рынок памяти и технологии в целом выходит далеко за рамки простых числовых описаний. В целом, если эти обвинения верны, то махинации CXMT привели к экономическому событию геополитического масштаба. Доктор Зло был бы горд», – добавляет Tom’s Hardware.
Все в сговоре
Согласно просочившимся в прессу судебным документам, обвинение утверждает, что проект «Хэфэй» представлял собой весь план разработки DRAM компанией CXMT и возглавлялся руководителем ее отдела разработок. К слову, ранее он руководил разработкой DRAM в Samsung.
Старт проекту был дан примерно в августе 2016 г., говорится в документах – вскоре после создания самой компании CXMT в июне 2016 г.
По информации Tom’s Hardware, предполагаемая идея заключалась в получении доступа к технологическому плану Samsung (Process Recipe Plan, PRP) к сентябрю 2016 г. Также CXMT намеревалась переманить ключевых инженеров Samsung к октябрю 2016 г., завершить необходимые НИОКР в июле 2017 г. и начать производство DRAM-пластин к августу 2018 г. со скоростью 10 тыс. кремниевых пластин в месяц. Утверждается, что набор данных PRP включает 620 этапов производства DRAM и содержит информацию об оборудовании, расходных материалах и методах производства.
Первые шаги
В судебных документах говорится, что в августе 2016 г. CXMT впервые попыталась изготовить пластины с 18-нм чипами, полагаясь на коллективную память инженеров Samsung, которых она переманила. Этих воспоминаний, по-видимому, оказалось недостаточно, поэтому, получив якобы незаконный доступ к PRP-системе Samsung, CXMT подготовила собственный аналогичный документ в сентябре 2016 г. Утекшие данные даже включали информацию о конкретных поставщиках оборудования и номерах моделей.
Новый план технологического развития CXMT был затем передан ключевым специалистам компании, многие из которых были бывшими инженерами Samsung. Они, по утверждению обвинения, должны были немедленно распознать в данных информацию, полученную от корейской компании. Документ, по-видимому, содержал пометки и заметки о технологических разработках, которые были уникальными для Samsung. В качестве свидетеля по этому делу выступил осужденный бывший исследователь Samsung по фамилии Чон, ранее приговоренный к семи годам тюрьмы за ручное копирование частей плана технологического развития перед переходом в CXMT.
Что будет дальше
Нынешние амбиции CXMT в отношении производства DRAM могут позволить ей занять 30% рынка к 2030 г., считают аналитики Tom’s Hardware. По сути, она может стать весьма влиятельным игроком этого рынка уже через несколько лет.
CXMT была создана в июне 2016 г. в китайском городском округе Хэфэй (отсюда и название проекта) с государственными инвестициями в размере около $1,9 млрд. По предварительным данным, проведение НИОКР и в целом строительство исследовательских центров в планы компании на момент основания не входило.
Как пишет Tom’s Hardware, переход от полного отсутствия производственных мощностей и институционального опыта к производству DRAM-пластин всего за два с небольшим года был бы беспрецедентным достижением и, предположительно, практически невозможен без предполагаемой кражи интеллектуальной собственности. Запуск производства памяти обычно занимает от двух до четырех лет , не говоря уже о времени на исследования. В 2019 г. компания заявила, что разработала новые 8-гигабитные чипы DDR4 полностью собственными силами как «скачкообразную, независимую» (leapfrog, independent) технологию и начала продавать чипы DRAM на местном рынке.
Затем наступила эра искусственного интеллекта, который поглотил все свободные DRAM-чипы в мире, тем самым обеспечив взрывной рост бизнеса CXMT как производителя этих микросхем. Ее доля мирового рынка DRAM выросла с примерно 4% во II квартале 2025 г, до около 10% во II квартале 2026 г.
Производственные мощности компании за тот же период были расширены до трех цехов по изготовлению 12-дюймовых пластин. По плану, к концу 2026 г. CXMT будет выпускать 350 тыс. пластин в год – тут она почти догнала Micron, которая выпускает 375-385 тыс. пластин в год.
CXMT также планирует открыть второй завод в Пекине, стремясь после его ввода в эксплуатацию производить более 600 тыс. пластин ежегодно.
Как пишет Tom’s Hardware, рост CXMT обусловлен не только ее долей на рынке DRAM. Выручка компании выросла на 716% год к году во II квартале 2026 г., а IPO на шанхайской бирже STAR Market в июле 2026 г. привело к росту акций на 466%, принеся компании $8,6 млрд и сделав ее самым дорогим производителем микросхем на китайском фондовом рынке.
По имеющимся данным, около 70% этих средств направляется на дальнейшее расширение производства DRAM, а не на более дорогостоящую и сложную HBM. Однако компания уже предоставила образцы HBM3E компаниям T-Head и Cambricon, принадлежащим Alibaba, Хотя Samsung и SK Hynix в это же время переходят к производству более современной HBM4.
