В 2026 году Россия начнет работать над следующим поколением литографа для выпуска чипов по топологии 90 нм

В 2026 году Россия начнет работать над следующим поколением литографа для выпуска чипов по топологии 90 нм

В 2026 г. начнется работа по созданию литографа, работающего с топологическими нормами 90 нм. Вероятно, разработкой займется «ЗНТЦ», который уже создал предыдущие поколения оборудования. На саму работу могут потребоваться сотни миллионов долларов и около четырех лет.

Чипы за 90

Как стало известно CNews, в 2026 г. начнется работа по созданию российского литографа для производства чипов по топологии 90 нм. Об этом 20 марта 2026 г. на XXI отраслевой научно-технической конференции радиоэлектронной промышленности заявил замминистра промышленности Василий Шпак.

Исполнитель работ будет определен по результатам конкурса. При этом созданием подобного оборудования у нас в стране (литограф на 350 и 130 нм) занимается «Зеленоградский нанотехнологический центр» («ЗНТЦ») совместно с белорусским «Планаром».

Как сообщил CNews гендиректор «ЗНТЦ» Анатолий Ковалев, компания пока не решила, будет ли участвовать в данном конкурсе. Потому что в ноябре 2026 г. планирует завершить разработку степпера с разрешением 130 нм, отметил он.

Представители Минпромторга не ответили на запрос о подробностях создания нового литографа.

База есть

«Разработка полноценного литографа с нуля может занять 5-10 лет и потребовать сотни миллионов долларов, — рассказал CNews эксперт РИНЕЦЭ, академик Международной академии связи Дмитрий Пшиченко. — Однако если речь идет о локализации, адаптации или доработке существующих решений (например, на базе 130 нм), сроки и затраты могут быть существенно ниже порядка 2-4 лет».

В этом году начнется разработка литографа на 90 нм

При освоенной разработке литографа на 130 нм, не нужно создавать все оборудование заново. Нужно доработать уже имеющиеся элементы и технологии (заменить объективы, лазерные модули, систему управления), чтобы выжать из той же платформы разрешение в 90 нм.

Разработанный литограф на 130 нм, например, с помощью двукратного экспонирования можно использовать и для создания чипов по топологии 90 нм, говорит независимый эксперт и автор Telegram-канала RUSmicro Алексей Бойко.

Такие нормы используются для автомобильной электроники, промышленной автоматизации, энергетики и т.д., говори Пшиченко. «Ключевой вопрос не сам литограф, а наличие полной экосистемы фотошаблонов, материалов, EDA-инструментов и компетенций, — продолжает он. — Без этого даже наличие установки не гарантирует массового производства. Основное конечно это наличие компетенций и персонала, который может развивать и обслуживать установку».

Пока же в стране завершилась разработка литографа на 350 нм. Сейчас идет работа над следующим поколением — оборудованием с разрешением 130 нм. Стоимость литографа «ЗНТЦ» с длиной волны 130 нм составит $6 млн. Производитель обещает скорость обработки пластин от 100 до 140 пластин в час.

Сложность новой разработки

С созданием в России более современных литографов, включая на 90 нм, могут возникнуть проблемы. Минпромторг в 2025 г. отменил несколько тендеров на освоение производства в России материалов, критически важных для современных установок. Например, слитков фторида кальция монокристаллического. Они применяются при изготовлении оптических элементов лазеров. Эксперты уверены, что отмена тендеры были отменены из-за сокращения финансирования и перераспределения бюджетов.

Собеседники CNews видят большие проблемы именно с созданием оптики для литографов в России. Кварц, необходимый для ее создания, в стране обрабатывать не умеют, говорит производитель микроэлектроники. «Нужны и фотошаблоны и маски на 90 нм, с этим у нас тоже проблемы, — продолжает он. — так что освоение этой технологии пока застопорилось».

Однако в этом направлении работает белорусский «Планар», на который в России делают ставку.

Добавить комментарий

Кнопка «Наверх»
Мы используем cookie-файлы для наилучшего представления нашего сайта. Продолжая использовать этот сайт, вы соглашаетесь с использованием cookie-файлов.
Принять
Отказаться
Политика конфиденциальности